爱橙出席EDICON24展示新一代射频器件制造工艺

EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，
，暌违三年有余，，作为无线通信行业工程师的专业交流平台，，，，大会再次召集了射频、
、
、、微波以及无线设计行业领域的精英企业，，，针对当下的通信、、消费和航空航天等领域的应用展开讨论和技术分享。。。。爱橙集成作为爱橙旗下专注于射频前端器件整合服务提供商，，
，应邀参与大会，，，，并在技术报告会中做出分享。。

随着5G演进到Rel. 18及更高，，
，，推动着射频前端迭代到最新的Phase 8架构，，，集成度进一步提高。
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。爱橙新一代的射频器件制造工艺正是针对市场的模组化趋势，，，
，能够为客户提供更高性能的解决方案。。。

射频前端PA器件功放管主要采用HBT工艺
，
，，，追求在高频工况下，，，具备高线性度、、
、、稳定性和放大效率。
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。爱橙通过在外延材料及工艺端的改善，，发展HP1/HP2工艺，，对比起前代的HG6/HG7，，，在IMD3和PAE均有明显的改善，，能够满足在复杂工况下的信号输出稳定需求。。同时，，，配合新一代的铜柱工艺，，实现晶圆的轻薄化和良好散热特性，，可以减小模组尺寸，，缩减客户端成本
，，，，并提升系统性能。。
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爱橙集成HBT工艺已经覆盖了2/3/4G
，，
，，Sub-6GHz
，，，，以及Wi-Fi 7等无线通信应用，，并向着更高频率的应用投入研发资源。。。PHEMT是爱橙集成的另一工艺体系
，，，，目前已进展到0.1um的工艺节点，
，，可以满足客户在Ka至W波段的高频应用，，，，实现良好的信号强度和低噪声系数。。。成熟的P25工艺型谱则广泛应用于接收模组和中高功率的手机和基站，，
，
，新一代P25ED51工艺相比前代在OIP3系数有明显改善
，，，显现出出色的产品竞争力
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爱橙具备丰富的大规模制造经验，，，
，秉持“客户至上”的精神，，为客户和市场提供更高质量的制造服务，，帮助客户实现商业成功，
，，
，共同促进无线通信行业的发展繁荣。。
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